Samsung DRAM

Kitajski proizvajalec polprevodnikov YMTC je na domačem trgu prevzel vodilni položaj pri proizvodnji bliskovnega pomnilnika NAND ter s prvega mesta izrinil južnokorejski Samsung. Tržni delež družbe YMTC se je z lanskoletnih 28 odstotkov povzpel na 38,5 odstotka. Samsung je medtem zdrsnil na drugo mesto s 33,5-odstotnim deležem, delež tretjeuvrščenega SK Hynixa pa se je skrčil z 20 na 17 odstotkov. Oba južnokorejska konkurenta sta se na izgubo prednosti odzvala z načrti za tehnološko posodobitev svojih kitajskih obratov.

YMTC NAND
YMTC NAND

Samsungova tovarna v Xianu ustvari približno 40 odstotkov celotne globalne proizvodnje njihovih pomnilnikov NAND, vendar tam še vedno izdelujejo tehnološko starejše čipe z okoli 200 plastmi. Družba je zato začela prehod na generacijo V9 z 286 plastmi. Začetni načrt predvideva izdelavo 5.000 polprevodniških rezin mesečno do konca letošnjega leta, do konca leta 2027 pa naj bi obseg povečali na 40.000 rezin na mesec. Kljub posodobitvi gre za tehnologijo prejšnje generacije, saj je Samsung že predstavil čipe V10 z več kot 400 plastmi, ki prinašajo višje hitrosti prenosa in manjšo porabo energije.

NAND Flash
NAND Flash

Z geopolitičnimi in regulativnimi omejitvami se sooča tudi SK Hynix. Njegov obrat v Dalianu, nekdanja Intelova tovarna pod okriljem podružnice Solidigm, trenutno izdeluje čipe s 192 plastmi. Ker ameriški Urad za industrijo in varnost (BIS) tujim proizvajalcem na Kitajskem močno omejuje izdajo licenc za namestitev ameriške opreme, je širitev tovrstnih obratov otežena. Kljub temu naj bi SK Hynix od ameriških oblasti že prejel soglasje za prehod na izdelavo 240-plastnih čipov, z nadaljnjim ciljem preseči 300 plasti. Podjetje se vzporedno z Intelovo podporo pogovarja tudi o vzpostavitvi proizvodnih zmogljivosti neposredno v Združenih državah Amerike.